据干系媒体音讯，国度常识产权局信息泄漏，成齐海威华芯科技有限公司央求一项名为“一种氧化镓 MOSFET 沟谈型器件的制造神志”的专利，公开号 CN 119028826 A，央求日历为 2024 年 8 月。

　　专利摘要泄漏，本发明公开了一种氧化镓 MOSFET 沟谈型器件的制造神志，属于半导体技能鸿沟ag九游会官网，主要包括：在 6 吋碳化硅基板上键合 4 吋氧化镓外延层；在所述氧化镓外延层上谈论源极、栅极以及漏极，其中将栅极谈论为棋盘矩阵型，增多栅极金属的肖特基战斗面积。该发明外延结构领受超宽禁带半导体材料氧化镓，商量栅极的罕见谈论，关于高功率器件的崩溃电压有权贵的进步。同期让小于 6 吋外延晶圆片兼容 6 吋半导体工艺经由。